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2SD526中文资料

  • 大小:243.79KB
  • 厂家:TD
  • 描述:Dated : 17/09/2016 Rev:01 TOP DYNAMIC 2SD526 NPN Epitaxial Silicon Power Transistor for power amplifier applications Absolute Maximum Ratings (T a = 25 O C) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage V CBO 80 V Collector Emitter Voltage V CEO 80 V Emitter Base Voltage V EBO 5 V Collector Current I C 4 A Base Current I B 0.4 A Power Dissipation (T c = 25 O C) P C 30 W Junction Temperature T j 150 O C Storage Temperature Range T stg - 55 to + 150 O C Characteristics at T a = 25 O C Parameter Symbol Min. Typ. Max. Unit DC Current Gain at V CE = 5 V, I C = 0.5 A Current Gain Group at V CE = 5 V, I C = 3 A R O Y h FE h FE h FE h FE 40 70 120 15 - - - - 80 140 240 - - - - - Collector Base Cutoff Current at V CB = 80 V I CBO - - 30 μA Emitter Base Cutoff Current at V EB = 5 V I EBO - - 100 μA Collector Emitter Breakdown Voltage

2SD526供应商

更新时间:2023-01-10 12:55:59
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